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[微信訂閱] 美國封殺GAA半導體技術出口 中國突破3nm工藝要靠自己了

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發表于 2019-12-18 19:57:49 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式



由于眾所周知的原因,美國正在收緊高科技的出口,日前美國政府制定了一份新的高科技出口禁令,包括量子計算機、3D打印及GAA晶體管技術等在內,這其中GAA晶體管技術是半導體行業的新一代技術關鍵。
大家都知道半導體工藝跟晶體管息息相關,目前臺積電、三星、Intel、格芯量產的先進工藝普遍是基于FinFET鰭式晶體管的,從22nm工藝到明年才能量產的5nm工藝都使用了FinFET晶體管。
5nm往后半導體工藝制造愈發困難,要想獲得性能及密度改進,晶體管就要轉向新一代結構了,GAA環繞柵極晶體管就是最有希望的,三星去年就率先發布了3nm GAA工藝——3GAE。
根據官方所說,基于全新的GAA晶體管結構,三星通過使用納米片設備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應管),該技術可以顯著增強晶體管性能,主要取代FinFET晶體管技術。
此外,MBCFET技術還能兼容現有的FinFET制造工藝的技術及設備,從而加速工藝開發及生產,最快2022年就能量產。


臺積電及Intel還沒有具體公開3nm及以下工藝的詳情,不過5nm之后轉向GAA晶體管技術也是板上釘釘了,所以GAA晶體管技術會成為未來幾年里半導體工藝的新選擇。
美國封殺GAA晶體管技術出口,國內最大的晶圓代工廠中芯國際及華虹半導體是沒可能獲得外援了。不過話說回來,即便沒有美國的封殺,國內指望海外技術轉移升級GAA工藝也是沒可能的。
中芯國際今年可以量產14nm工藝,這是國產第一代的FinFET工藝,后續也有改進型的12nm FinFET工藝,該工藝相比14nm晶體管尺寸進一步縮微,功耗降低20%、性能提升10%,錯誤率降低20%。
根據中芯國際之前在財報會議上的信息,12nm工藝應該是他們的N+1工藝,后續還會有更先進的N+2代工藝,只不過官方沒有明確N+2是否就是7nm節點。
總之,美國現在禁止出口GAA工藝顯然是想封鎖中國公司的半導體技術能力,不過這件事目前來說影響并不大,因為國內距離3nm工藝還有點距離,國內的半導體公司也早就認識到技術研發要以自己為主,加大投資、吸引更多人才自主研發才是解決問題的關鍵。




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